光刻机全球部署
ASML EUV / High-NA EUV / DUV — 全球光刻机部署详情
EUV 总台数
~223
台（全球）
High-NA EUV 总台数
3
台（次世代）
EUV 单价
$180M
NXE:3800E
High-NA EUV 单价
$380M
EXE:5000
ASML 机型规格速查
| 型号 | 类型 | 分辨率 | 产能 | 单价 |
|---|---|---|---|---|
| EXE:5000/5200 | High-NA EUV | 8 nm | 185 wph | $380M |
| NXE:3600D / 3800E | EUV | 13 nm | 160 wph | $180M |
| NXT:2100i / 2050i | DUV Immersion | 38 nm | 295 wph | $80M |
wph = wafers per hour（每小时晶圆产出）。分辨率为单次曝光最小线宽。
High-NA EUV （共 3 台）
| 拥有方 | 机型 | 台数 | 分辨率 | 产能 wph | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| Intel | EXE:5000 / 5200 | 2 | 8.0 nm | 185 | 全球首个 High-NA EUV 量产客户。用于 Intel 14A 开发。 |
| TSMC | EXE:5000 | 1 | 8.0 nm | 185 | TSMC 首台 High-NA EUV，用于 A16 和更先进节点研发。 |
EUV （共 223 台）
| 拥有方 | 机型 | 台数 | 分辨率 | 产能 wph | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSMC | NXE:3600D / 3800E | 115 | 13.0 nm | 160 | 全球 EUV 最大拥有者。N3/N5 关键设备。 |
| Samsung | NXE:3600D / 3800E | 55 | 13.0 nm | 160 | 全球第二大 EUV 拥有者。3nm GAA 关键。 |
| Intel | NXE:3600D / 3800E | 30 | 13.0 nm | 160 | Intel 18A 开始大规模使用 EUV。2024-2025 大量采购。 |
| SK Hynix | NXE:3600D | 15 | 13.0 nm | 160 | 用于 DRAM（10nm class），2024 年开始量产 1b nm。 |
| Micron | NXE:3600D | 8 | 13.0 nm | 160 | DRAM 先进节点。 |
DUV ArF Immersion （共 40 台）
| 拥有方 | 机型 | 台数 | 分辨率 | 产能 wph | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMIC | NXT:2100i / 2050i | 40 | 38.0 nm | 295 | SMIC 用 DUV 多重曝光实现 7nm。美国出口管制前已部署。 |
⚠ 中国出口管制影响
2023 年 10 月：ASML 被禁止向中国出口最先进的 EUV 设备。
2024 年 1 月：DUV ArF Immersion（NXT:2000i 以上）也被纳入许可证管制。
替代方案：中国通过二手设备和国产替代（上海微电子 SMEE 28nm DUV）维持产能。
对 SMIC 的实际影响
- 无法获取新 EUV，7nm 只能继续使用 DUV 多重曝光
- 良率和成本受限，量产速度低于 TSMC / Samsung
- 已部署 ~40 台 NXT:2100i / 2050i 在管制前到货