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3 小时前
AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产
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3 小时前
斯坦福 & 宾州州立团队：双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35%
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3 小时前
上海AI实验室联合团队攻克芯片核心材料光刻胶稳定制备难题
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5 天前
斯坦福 & 宾州州立团队：双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35% - 化合物半导体
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5 天前
AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统，助力其功率器件大规模量产扩产 - 化合物半导体
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830 天前
自支撑衬底上的红光InGaN micro-LED - 化合物半导体
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1010 天前
BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产 - 化合物半导体
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1211 天前
SiC ࢅ GaN ຣॽ߸ᅃؕǛ - 化合物半导体
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1534 天前
BelGaN 收购安森美半导体比利时工厂 - 化合物半导体
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1924 天前
太阳能材料可以“自我修复”缺陷 - 化合物半导体
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