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化合物半导体
材料设备
4 小时前
AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统,助力其功率器件大规模量产扩产
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化合物半导体
材料设备
4 小时前
斯坦福 & 宾州州立团队:双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35%
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化合物半导体
材料设备
4 小时前
上海AI实验室联合团队攻克芯片核心材料光刻胶稳定制备难题
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化合物半导体
材料设备
5 天前
斯坦福 & 宾州州立团队:双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35% - 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
5 天前
AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统,助力其功率器件大规模量产扩产 - 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
830 天前
自支撑衬底上的红光InGaN micro-LED - 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
1010 天前
BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产 - 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
1211 天前
SiC ࢅ GaN ຣॽ߸ᅃؕǛ - 化合物半导体
SiC ࢅ GaN ຣॽ߸ᅃؕǛ 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
1534 天前
BelGaN 收购安森美半导体比利时工厂 - 化合物半导体
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化合物半导体
材料设备
1924 天前
太阳能材料可以“自我修复”缺陷 - 化合物半导体
太阳能材料可以“自我修复”缺陷 化合物半导体
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化合物半导体
行业新闻 / 企业新闻化合物半导体、宽禁带材料、SiC/GaN/氧化镓、功率器件、设备材料与企业新闻
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